CY14B116M-BZ45XI
Active and preferred
RoHS対応

CY14B116M-BZ45XI

データシート
パッケージ

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CY14B116M-BZ45XI
CY14B116M-BZ45XI
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2031
  • Density
    16 MBit
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY14B116M-BZ45XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ 105
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ 105
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY14B116M-BZ45XIは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた、RTC内蔵の16Mビット (1024K×16) 並列nvSRAMです。動作電圧範囲は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～+85℃で、アクセス時間は45 nsです。電源オフ時には19.8 µF～82 µFのVCAPコンデンサーを使用してデータが自動的にSTOREされ、電源オン時にはRECALLされます。100万回のSTOREサイクルと20年間のデータ保持をサポートし、信頼性の高いデータロギングを実現します。

特長

  • 16 MビットnvSRAM (SRAM + NV)
  • 2048K×8または1024K×16アレイ
  • 25 ns / 45 nsアクセス オプション
  • 電源断時のAutoStore
  • ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE
  • 電源投入時またはソフトウェアによるRECALL
  • STOREサイクル: 100万回
  • データ保持期間: 20年
  • VCC電源: 2.7 V～3.6 V
  • RTC動作中のスリープ モード
  • スリープモード電流: 最大10 μA
  • RTCアラーム、WDT、方形波出力

利点

  • NVデータ安全性を備えたSRAM高速性
  • x8またはx16レガシーバス対応
  • 25 ns/45 nsによる待機状態削減
  • 自動保存によるデータ損失防止
  • イベント時オンデマンドSTORE
  • 電源投入後の高速復元
  • データロギングに対応するSTORE耐久性
  • 長期データ保持によるメンテナンス削減
  • 2.7～3.6 V単一電源による設計容易化
  • スリープモードによるシステム消費電力低減
  • 10 µAスリープによるバッテリー寿命延長
  • RTCブロックによる外部IC削減
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ