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RoHS準拠

CY14B108N-BA25XI

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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CY14B108N-BA25XI
CY14B108N-BA25XI
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    8 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推奨
OPN
CY14B108N-BA25XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ 598
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ 598
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
CY14B108N-BA25XIは8 Mbit（512 K × 16）のパラレルnvSRAMで、SRAMとQuantumTrap不揮発ストレージを各セルに内蔵します。2.7 V～3.6 V、-40～85°Cで動作し、アクセス時間は25 ns。122 µF～360 µFのVCAPコンデンサで電源断時に自動STOREし、STORE/RECALLはソフトウェアまたはHSBピンでも開始でき、外部EEPROM書き込みなしで高速に不揮発保存が可能です。48ボールFBGAパッケージです。

特長

  • 8 Mbit nvSRAM、SRAM I/F
  • アクセス最短20 ns
  • 電源断でAutoStore
  • STOREはSW/HSBピン
  • RECALLはSW/電源投入
  • QuantumTrap不揮発セル
  • データ保持20年
  • STORE耐久1,000K回
  • 単一3 V電源2.7-3.6 V
  • VCAP 122-360 uF
  • 2.65 V未満でR/W禁止
  • 電源投入RECALL 20 ms

利点

  • 電池不要でSRAM並み速度
  • 20 nsでアクセス遅延低減
  • 停止時に自動データ保存
  • SW/HSBでバックアップ制御
  • 復電後すぐデータ復元
  • QuantumTrapで高信頼バックアップ
  • リフレッシュ不要で長期保持
  • 頻繁な電源変動に強い
  • 3 V電源で電源設計簡素化
  • 小容量でバックアップ回路簡単
  • ブラウンアウト破損を防止
  • 20 ms RECALLで起動短縮

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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