CY14B108L-BA25XI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY14B108L-BA25XI

データシート
パッケージ

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CY14B108L-BA25XI
CY14B108L-BA25XI
データシート


製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • メモリ容量
    8 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns

推奨
OPN
CY14B108L-BA25XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
梱包サイズ 1495
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
梱包サイズ 1495
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
US
CY14B108L-BA25XIは、QuantumTrap不揮発性セルを使用した1024K×8構成の8MビットnvSRAMです。動作電圧は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～+85℃で、48ボールFBGAにおいて25 nsのアクセス時間を実現します。電源オフ時には、外部VCAPコンデンサー (122 µF～360 µF) を使用してデータが不揮発性メモリに自動的に保存され、電源オン時にハードウェアまたはソフトウェアによるSTORE/RECALLオプションで呼び出されます。

特長

  • SRAMインターフェース搭載8 MビットnvSRAM
  • 最短20 nsの高速アクセス時間
  • 電源断時の自動保存 (AutoStore)
  • ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE
  • ソフトウェアまたは電源投入によるRECALL
  • QuantumTrap不揮発性セル
  • データ保持期間: 20年
  • STORE耐久: 100万回
  • 単一3 V電源: 2.7 V～3.6 V
  • VCAPコンデンサ: 122 μF～360 μF
  • 2.65 V未満では読み出し/書き込みを禁止
  • 電源投入時のRECALL時間: 20 ms

利点

  • バッテリー不要でSRAM並みの速度
  • メモリアクセスレイテンシを20 ns削減
  • シャットダウン時にデータを自動的に保存します
  • 柔軟なバックアップ: SWまたはHSB制御
  • 電源復旧後の高速復元
  • 高信頼性QuantumTrapバックアップ
  • 更新なしで長時間データを保持
  • 頻繁な停電に耐える
  • シンプルな3 Vレールでレギュレーターを削減
  • 小型キャップにより、シンプルなバックアップハードウェアを実現
  • 電圧低下時の破損を防止
  • 20 ms RECALLによりシステム起動が高速化
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ