CY14B104NA-ZSP45XI
Active and preferred
RoHS対応

CY14B104NA-ZSP45XI

パッケージ
個.
在庫あり

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CY14B104NA-ZSP45XI
CY14B104NA-ZSP45XI
個.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY14B104NA-ZSP45XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 216
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 216
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY14B104NA-ZSP45XIは、SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた4Mビット (256K×16) の並列nvSRAMです。45 nsのアクセス速度と2.7 V～3.6 Vの電源電圧に対応しています。AutoStoreは、61 µF～180 µFのVCAPコンデンサーを使用して、電源オフ時にSRAMを不揮発性セルに転送し、RECALLは電源オン時またはソフトウェアによってデータを復元します。54ピンTSOP IIパッケージで、100万回のSTOREサイクルと20年間のデータ保持に対応します。

特長

  • 4 MビットnvSRAM、SRAMインターフェース
  • 電源断時の自動保存 (AutoStore)
  • 電源投入時またはソフトウェアによるRECALL
  • ソフトウェアまたはハードウェア ピンによるSTORE
  • QuantumTrap 不揮発性素子
  • 2.7 V～3.6 V単電源
  • 動作温度: -40℃～+85℃
  • データ保持期間: 20年
  • 不揮発性STORE動作: 100万回
  • VCAP外付けコンデンサ: 61～180 μF
  • VSWITCH低電圧トリガー: 2.65 V
  • STORE時間 tSTORE: 最大8 ms

利点

  • SRAMのような即時アクセス
  • 停電時保存用ファームウェア不要
  • 電源復旧後の高速復元
  • 柔軟な保存制御オプション
  • EEPROMと比較した高信頼性NVM
  • 3 Vの安定化電源レールに対応
  • 過酷な温度環境下でも安定した動作
  • 長期データ保持による設定保護
  • 頻繁な保存操作に対応するSTORE耐久性
  • 小型コンデンサーでバックアップ不要の保存
  • 予測可能なブラウンアウト時保存トリガー
  • 短いSTORE時間によるダウンタイム抑制

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ