BSZ0905PNS

BSZ0905PNS

OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs - perfectly addressing the needs of charger and adapter designs
データシート

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BSZ0905PNS
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製品仕様情報

  • Ciss
    3190 pF
  • Coss
    1520 pF
  • ID (最大)
    -40 A
  • IDpuls (最大)
    -160 A
  • Ptot (最大)
    69 W
  • QG (typ @10V)
    43.2 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    8.6 mΩ
  • RthJA (最大)
    60 K/W
  • RthJC (最大)
    1.8 K/W
  • Rth
    1.8 K/W
  • VDS (最大)
    -30 V
  • VGS(th) (typ) 範囲
    -3.1 V～-1.9 V
  • VGS(th) (typ)
    -2.1 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    P

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
OptiMOS™ PD power MOSFET is Infineon’s portfolio targeting USB-PD and adapter applications. The products offer fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS™ low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS™ PD features quality products in compact, lightweight packages.Click here to view full portfolio .

特長

  • Low on-state resistance RDS(on)
  • Low gate, output and reverse recovery charge
  • Excellent thermal behavior

利点

  • Quick quote response
  • Highest efficiency and power density designs
  • Compact, lightweight and environmentally friendly products
  • Excellent price-performance ratio

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ