BSC011N03LSI
Active and preferred
RoHS対応

BSC011N03LSI

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パッケージ
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BSC011N03LSI
BSC011N03LSI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    4300 pF
  • Coss
    1600 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    100 A
  • IDpuls (最大)
    400 A
  • Ptot (最大)
    96 W
  • QG (typ @10V)
    68 nC
  • QG (typ @4.5V)
    34 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.1 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) (最大)
    1.5 mΩ
  • Rth
    1.3 K/W
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2 V
  • VGS(th)
    1.75 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 予算価格€/ 1k
    0.51
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level, Monolithically Integrated Schottky-like Diode
推奨
OPN
BSC011N03LSIATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)

特長

  • Ultra low gate and output charge
  • Lowest on-state resistance
  • Easy to design-in

利点

  • Increased battery lifetime
  • Improved EMI behavior
  • No need for external snubber network
  • Saving costs
  • Space saving
Reducing power losses21
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ