BSC010N04LST

BSC010N04LST

OptiMOS™ 5 power MOSFET with enhanced temperature rating for improved robustness
データシート

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BSC010N04LST
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    292 A
  • IDpuls (最大)
    1168 A
  • Ptot (最大)
    167 W
  • Qgd
    15 nC
  • QG (typ @10V)
    95 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1 mΩ
  • RthJA (最大)
    50 K/W
  • RthJC (最大)
    0.9 K/W
  • Rth
    0.5 K/W
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2 V
  • VGS(th)
    1.48 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.09
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
OptiMOS™ 5 power MOSFET in SuperSO8 package offers the latest technology together with temperature improvements in the package. This new combination enables higher power density as well as improved robustness. Compared to lower rated MOSFET devices, the 175°C TJ_MAX feature offers either more power at a higher operating junction temperature or longer lifetime at the same operating junction temperature.

特長

  • Low RDS(on)
  • Optimized for synchronous rectification
  • Enhanced 175°C capability in SuperSO8

利点

  • Longer life time
  • Highest efficiency and power density
  • Highest system reliability
  • Thermal robustness

 

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ