BSB013NE2LXI

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データシート

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BSB013NE2LXI
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データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    4400 pF
  • Coss
    1900 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    163 A
  • IDpuls (最大)
    400 A
  • Ptot (最大)
    57 W
  • QG (typ @4.5V)
    30 nC
  • QG (typ @10V)
    62 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.3 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) (最大)
    1.8 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1.8 mΩ
  • Rth
    1 K/W
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2 V
  • パッケージ
    DirectFET(M)
  • マイクロステンシル
    IRF66MX-25
  • 予算価格€/ 1k
    0.68
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Monolithically Integrated Schottky-like Diode
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).

利点

  • Save overall system costs by reducing the number of phases in multiphase converters
  • Reduce power losses and increase efficiency for all load conditions
  • Save space with smallest packages like CanPAK™, S3O8 or system in package solution
  • Minimize EMI in the system making external snubber networks obsolete and the products easy to design-in

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ