BGA7H1N6
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

BGA7H1N6

パッケージ
個.
在庫あり

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BGA7H1N6
BGA7H1N6
個.

製品仕様情報

  • I
    4.8 mA
  • IIP3
    6 dBm
  • NF
    0.65 dB
  • P-1dB (in)
    -1 dBm
  • VCC動作 範囲
    1.5 V～3.3 V
  • ゲイン
    12.5 dB
  • 周波数
    2300 - 2690 MHz
推奨
OPN
BGA7H1N6E6327XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
TSNP-6-2
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 15000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
TSNP-6-2
パッケージ名 -
梱包サイズ 15000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Silicon Germanium Low Noise Amplifier for LTE

特長

  • Insertion power gain: 12.5 dB
  • Low noise figure: 0.60 dB
  • Low current consumption: 4.7 mA
  • Operating frequencies: 2300 - 2690 MHz
  • Supply voltage: 1.5 V to 3.3 V
  • Digital on/off switch (1V logic high level)
  • Ultra small TSNP-6-2 leadless package (footprint: 0.7 x 1.1 mm2)
  • B7HF Silicon Germanium technology
  • RF output internally matched to 50 Ω
  • Only 1 external SMD component necessary
  • 2kV HBM ESD protection (including AI-pin)
  • Pb-free (RoHS compliant) package
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ