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BFR35AP
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

BFR35AP

生産終了

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BFR35AP
BFR35AP


製品仕様情報

  • fT
    5 GHz
  • Gmax
    16 dB @900 MHz
  • IC (最大)
    45 mA
  • NFmin
    1.40 dB @900 MHz
  • OIP3
    24 dBm
  • OP1dB
    9 dBm
  • Ptot
    280 mW
  • VCEO (最大)
    15 V
  • パッケージ
    SOT23

OPN
BFR35APE6327HTSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
DE

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 -
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
NPN Silicon RF Transistor for low distortion broadband amplifiers and oscillators up to 2GHz at collector currents from 0.5mA to 20 mA

特長

  • For low distortion broadband amplifiers and oscillators up to 2GHz at collector currents from 0.5mA to 20 mA
  • Pb-free (RoHS compliant) package

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ