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BFP196WN
生産終了
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RoHS対応
鉛フリー

BFP196WN

生産終了
データシート
パッケージ

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BFP196WN
BFP196WN
データシート

製品仕様情報

  • Gmax
    17 dB @900 MHz
  • IC (最大)
    150 mA
  • NFmin
    1.10 dB @900 MHz
  • OIP3
    32 dBm @900 MHz
  • OP1dB
    19 dBm @900 MHz
  • VCEO (最大)
    12 V
  • パッケージ
    SOT343
OPN
BFP196WNH6327XTSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SOT343-4-1
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SOT343-4-1
パッケージ名 -
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
NPN silicon planar epitaxial transistor in 4-pin dual-emitter SOT343 package for low noise and low distortion wideband amplifiers. This RF transistor benefits from Infineon long-term experience in RF components and combines ease-of-use to stable volumes production, at benchmark quality and reliability.

特長

  • For high voltage applications VCE < 12 V
  • Maximal power Ptot = 700 mW
  • Transition frequency fT = 7.5 GHz
  • Noise figure NFmin = 1.3 dB at 900 MHz
  • Easy to use Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free industry
  • Standard SOT343 package with visible leads

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ