BAT15-099R
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

BAT15-099R

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BAT15-099R
BAT15-099R


製品仕様情報

  • C @VR=0V
    0.29 pF
  • IF (最大)
    110 mA
  • VF (最大)
    0.32 V
  • VF
    0.25 V
  • VR (最大)
    4 V
  • コンフィギュレーション
    Cross-over ring quad

OPN
BAT15099RE6327HTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
AT
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 -
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
AT
This Infineon RF Schottky diode is silicon low barrier N-type device with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Its low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make BAT15-099R a suitable choice for mixer functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ