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AIMZHN120R030M1T
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

AIMZHN120R030M1T

生産終了
CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200V G1p in TO247-4L package
データシート
パッケージ

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AIMZHN120R030M1T
AIMZHN120R030M1T
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • ID (@25°C) (最大)
    69 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    30 mΩ
  • VDS (最大)
    1200 V
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 発売年
    2023
  • 認定
    Automotive
OPN
AIMZHN120R030M1TXKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
With Infineon’s performance optimized chip technology (Gen1p), the SiC MOSFET features best-in-class switching performance, robustness against parasitic turn-ons, as well as improved RDSon and Rth(j-c). High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities and significant reductions in system costs making it an ideal choice for on-board charger and DCDC applications.

特長

  • Very low switching losses
  • Increased turn-on voltage VGS(on)= 20 V
  • Best in class switching energy
  • Lowest device capacitances
  • low Crss/Ciss ratio and high VGS(th) to avoid parasitic turn-on
  • Reduced total gate charge QGtot for lower driving power and losses
  • .XT die attach technology for best in class thermal performance
  • Sense pin for optimized switching performance
  • Suitable for HV creepage requirements

利点

  • Efficiency improvement
  • Enabling higher frequency
  • Increased power density
  • Cooling effort reduction
  • Reduction of system complexity and cost

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ