新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

AIMW120R080M1

The CoolSiC™ MOSFETs for Automotive family has been developed for current & future On-Board Charger & DC-DC applications in hybrid & electric vehicles
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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AIMW120R080M1
AIMW120R080M1
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • ID (@25°C) max
    33 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    80 mΩ
  • VDS max
    1200 V
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 発売年
    2021
  • 認定
    Automotive
OPN
AIMW120R080M1XKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The AIMW120R080M1 meets automotive industry's high reliability, quality & performance demands. CoolSiC™ MOSFETs enable higher switching frequency, reducing magnetic component volume by 25% & cutting costs. It meets new EV efficiency standards, ensuring a very long, safe lifetime. Additional features: low gate charge & capacitance, no reverse recovery losses, low switching losses & threshold-free on-state characteristics for an easy design-in.

機能

  • semiconductor material - Silicon Carbide
  • Very low switching losses
  • Threshold-free on state characteristic
  • IGBT-compatible driving voltage
  • 0 V turn-off gate voltage
  • Gate Threshold VGS(th)=4.5V
  • Robust body diode for synchronous
  • Temp independent turn-off switching loss

利点

  • Efficiency improvement
  • Enabling higher frequency
  • Increased power density
  • Cooling effort reduction
  • Reduction of system complexity and cost

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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