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AIMW120R080M1
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

AIMW120R080M1

生産終了
The CoolSiC™ MOSFETs for Automotive family has been developed for current & future On-Board Charger & DC-DC applications in hybrid & electric vehicles
データシート
パッケージ

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AIMW120R080M1
AIMW120R080M1
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • ID (@25°C) (最大)
    33 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    80 mΩ
  • VDS (最大)
    1200 V
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 発売年
    2021
  • 認定
    Automotive

OPN
AIMW120R080M1XKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The AIMW120R080M1 meets automotive industry's high reliability, quality & performance demands. CoolSiC™ MOSFETs enable higher switching frequency, reducing magnetic component volume by 25% & cutting costs. It meets new EV efficiency standards, ensuring a very long, safe lifetime. Additional features: low gate charge & capacitance, no reverse recovery losses, low switching losses & threshold-free on-state characteristics for an easy design-in.

特長

  • semiconductor material - Silicon Carbide
  • Very low switching losses
  • Threshold-free on state characteristic
  • IGBT-compatible driving voltage
  • 0 V turn-off gate voltage
  • Gate Threshold VGS(th)=4.5V
  • Robust body diode for synchronous
  • Temp independent turn-off switching loss

利点

  • Efficiency improvement
  • Enabling higher frequency
  • Increased power density
  • Cooling effort reduction
  • Reduction of system complexity and cost

アプリケーション

車載充電器 (OBC)
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ