AIMCQ120R020M1T
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

AIMCQ120R020M1T

CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200V G1p in Q-DPAK top-side cooled package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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AIMCQ120R020M1T
AIMCQ120R020M1T
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    116 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    19 mΩ
  • VDS (最大)
    1200 V
  • パッケージ
    PG-HDSOP-22
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
AIMCQ120R020M1TXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200 V in Q-DPAK package is tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture. Leveraging Top-Side-Cooling (TSC) technology, it can provide customers with an outstanding thermal performance, easier assembly and reduced system cost. Compared to back-side cooling, TSC provides an optimized PCB assembly, thus eliminating parasitic effects and providing much lower stray inductances. 

特長

  • 0V turn-off
  • Creepage  4.8mm
  • Symmetrical lead layout
  • .XT technology

利点

  • Lower package parasitics
  • Lower switching losses
  • Simplified design
  • Optimized PCB assembly

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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