AIMBG75R060M2H
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

AIMBG75R060M2H

CoolSiC™車載用MOSFET 750 V G2、D2PAK-7パッケージ、60 mΩ
データシート
パッケージ
ボード

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AIMBG75R060M2H
AIMBG75R060M2H
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    29 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    78 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    60 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.29 K/W
  • VDS (最大)
    750 V
  • パッケージ
    D2PAK 7-pin
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMT
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
AIMBG75R060M2HXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CoolSiC™ MOSFET 750 Vは、インフィニオンの20年を超えるSiCの経験を活用しています。ゲート駆動の柔軟性を備え、優れた性能、信頼性、堅牢性を提供し、最高の効率と電力密度を実現するシンプルでコスト効率の高いシステム設計を可能にします。革新的な上面放熱パッケージにより、CoolSiC™ 750 Vの強みがさらに強化され、密度が向上し、電力ループ設計が最適化され、システムおよび組み立てコストが削減されます。

特長

  • きわめて堅牢な750 Vテクノロジー
  • クラス最高のRDS(on) x Qfr
  • 優れたRon x QossとRon x QG
  • 低Crss/Cissと高Vgsthを両立
  • 100%アバランシェ テスト済み
  • インフィニオンのダイ アタッチ テクノロジー
  • 最先端の上面放熱パッケージ

利点

  • ハードスイッチングにおける優れた効率
  • 高スイッチング周波数化
  • 高い信頼性
  • 500 V超のバス電圧に対応
  • 寄生ターンに対する堅牢性
  • ユニポーラ駆動
  • 最高クラスの放熱性
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ