Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

6EDL04I06NC

600 V three-phase gate driver IC bare die with integrated bootstrap diode, over current protection, enable and fault reporting
データシート

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6EDL04I06NC
6EDL04I06NC
データシート

Product details

  • VBS UVLO (Off)
    9.8 V
  • VBS UVLO (On)
    11.7 V
  • VCC UVLO (Off)
    9.8 V
  • VCC UVLO (On)
    11.7 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
  • コンフィギュレーション
    Three Phase
  • チャネル
    6
  • 伝搬遅延オフ
    490 ns
  • 伝搬遅延オン
    530 ns
  • 入力 Vcc
    13 V to 17.5 V
  • 出力電流 (Sink)
    0.375 A
  • 出力電流 (Source)
    0.17 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V
推奨
OPN
6EDL04I06NCX1SA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EiceDRIVER™ 600 V three phase gate driver IC bare die for MOS-transistors and IGBTs with 0.17 A source and 0.375 A sink currents and LS-SOI technology.

機能

  • Thin-film-SOI-technology
  • Integrated bootstrap diode
  • Maximum blocking voltage +600V
  • Separate control for six drivers
  • CMOS and LSTTL compatible input
  • Cross-conduction prevention
  • OCP and UVLO protection

利点

  • Space saving package
  • Improved energy efficiency

図

6ED003L06-C2-6EDL04I06NC
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ドキュメント

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デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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