F4-23MR12W1M1_B11

概要

FourPackパッケージの1200V CoolSiC™モジュール

1200V/23mΩ、FourPackパッケージのEasyPACK™ 1B モジュール。PressFITコンタクト技術を採用し、CoolSiC™ MOSFET、近閾値回路(NTC)を搭載。

特長

  • 高い電力密度
  • クラスでもっとも低いスイッチング損失および導通損失
  • 低誘導設計
  • NTC温度センサ搭載
  • PressFITコンタクト技術
  • RoHS対応モジュール

利点

  • 高い効率により冷却を簡素化可能
  • 高周波数動作
  • 高い電力密度
  • 顧客の開発サイクルとコストを最適化

推奨アプリケーション例

ウェビナー 商用車の電動化

 

本ウェビナーで、商用車の電動化のトレンドと、半導体によるシステムソリューションをご覧下さい。

> 今すぐ見る　

変わりつつある商用車 - 電子化が引き起こす商用車・建機・農機ビジネスの変化

 

本白書では、商用車・建機・農機の電子化に関するマーケットと、電子系システムへの過酷な要求を満足するインフィニオンのソリューションを紹介します。

> 今すぐダウンロードしましょう！

 

図
シミュレーション
トレーニング
29:16

SiC MOSFETモジュールおよびSiC MOSFETモジュール用のゲートドライバの選び方

シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。

サポート