F4-23MR12W1M1_B11

概要

FourPackパッケージの1200V CoolSiC™モジュール

1200V/23mΩ、FourPackパッケージのEasyPACK™ 1B モジュール。PressFITコンタクト技術を採用し、CoolSiC™ MOSFET、近閾値回路(NTC)を搭載。

特長

  • 高い電力密度
  • クラスでもっとも低いスイッチング損失および導通損失
  • 低誘導設計
  • NTC温度センサ搭載
  • PressFITコンタクト技術
  • RoHS対応モジュール

利点

  • 高い効率により冷却を簡素化可能
  • 高周波数動作
  • 高い電力密度
  • 顧客の開発サイクルとコストを最適化

推奨アプリケーション例

ウェビナー 商用車の電動化

 

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図
シミュレーション
トレーニング

SiC MOSFETモジュールおよびSiC MOSFETモジュール用のゲートドライバの選び方

29:16

シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。

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