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SPB18P06P G
生産終了
生産終了
RoHS対応

SPB18P06P G

生産終了
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -60V, D2PAK
データシート
パッケージ

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SPB18P06P G
SPB18P06P G
データシート


製品仕様情報

  • Ciss
    690 pF
  • Coss
    230 pF
  • ID (最大)
    -18.6 A
  • IDpuls (最大)
    -74.8 A
  • Ptot (最大)
    80 W
  • QG (typ @10V)
    18.6 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    130 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.85 K/W
  • Rth
    1.85 K/W
  • VDS (最大)
    -60 V
  • VGS(th)
    -3 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モード
    Enhancement
  • 予算価格€/ 1k
    0.41
  • 動作温度 範囲
    -50 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    P

OPN
SPB18P06PGATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

特長

  • Enhancement mode
  • Avalanche rated
  • Fast switching
  • Dv/dt rated
  • Pb-free lead-plating
RoHS compliant, Halogen-free
  • Qualified according to AEC Q101

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ