S70FL01GSDPMFV013
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S70FL01GSDPMFV013

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S70FL01GSDPMFV013
S70FL01GSDPMFV013


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • メモリ容量
    1 GBit
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~105 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V~3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial

OPN
S70FL01GSDPMFV013
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
梱包サイズ 1450
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
梱包サイズ 1450
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
S70FL01GSDPMFV013は1 Gbit(128 Mbyte)FL-S NORフラッシュメモリで、2つのS25FL512Sダイを積層したデュアルダイ構造。SPIマルチI/O、ノーマル・ファスト・デュアル・クワッド・DDRリード、32ビットアドレッシングに対応。10万回書き換え、20年データ保持、256 KB均一セクタ、高度なセキュリティ機能を備え、AEC-Q100 Grade 1(-40°C~+125°C)認証、鉛フリーSOIC/BGAパッケージで自動車・産業用途に最適。

特長

  • デュアルダイスタック構造
  • SPIマルチI/Oインターフェース
  • 通常・高速・デュアル・クワッド・DDR読取
  • 32ビット拡張アドレス
  • 512バイトページプログラムバッファ
  • 最小10万回書換え耐久
  • 最小20年データ保持
  • 2048バイトOTP領域
  • ブロック・高度セクタ保護
  • コア電圧2.7-3.6 V
  • I/O電圧1.65-3.6 V
  • SCK最大133 MHz(シングル)、104 MHz(クワッド)

利点

  • 小型で大容量ストレージ実現
  • 柔軟なI/Fで統合容易
  • 高速データアクセス対応
  • 大きなアドレス空間
  • 効率的なページ書込で速度向上
  • 頻繁な書換も高信頼性
  • 長期データ保持で安心
  • OTP領域でコード保護
  • 強力な誤書込防止
  • 3 Vシステムに対応
  • 多様なI/O電圧に適合
  • 高速動作で高スループット

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ