Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S25FL128LAGNFV010

データシート
パッケージ
ソフトウェア
EA.
個の在庫あり

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S25FL128LAGNFV010
S25FL128LAGNFV010
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2032
  • Density
    128 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-L
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 105 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
S25FL128LAGNFV010
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 DFN-8 (002-18755)
包装サイズ 980
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 DFN-8 (002-18755)
包装サイズ 980
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
S25FL128LAGNFV010は128 Mb（16 MB）のフラッシュメモリで、65 nmフローティングゲート技術とSPIマルチI/O（シングル、デュアル、クアッド、QPI、DDR読出し）を採用。動作電圧は2.7 V～3.6 V、最高125°Cの産業・車載温度範囲に対応。256バイトページプログラムバッファ、4 KB/32 KB/64 KB均一消去、10万回書き換え、先進のセキュリティ領域を備え、コードシャドウ、XIP、車載・産業・モバイル用途の安全な組み込みストレージに最適です。

特長

  • SPIインターフェース（1/2/4 I/O）
  • DDRリード対応
  • 256バイトページプログラムバッファ
  • 4 KB/32 KB/64 KB/全消去対応
  • 10万回プログラム/消去耐久
  • 20年データ保持
  • セキュリティ領域と個別ロック
  • ディープパワーダウンモード
  • 2.7 V～3.6V単一電源
  • 最大+125°C動作温度
  • 入力オーバーシュート±1.0 V（20ns）
  • SFDPパラメータ対応

利点

  • 柔軟なI/Oで高速転送
  • DDRリードで高スループット
  • 256バイトバッファで高速書込
  • 多様な消去で管理が容易
  • 高耐久で長期信頼性
  • 長期データ保持で安心
  • セキュリティ領域で不正防止
  • DPDで誤動作防止
  • 広電圧で多用途対応
  • 高温動作で厳環境対応
  • オーバーシュート耐性で信号安定
  • SFDPで設定が簡単

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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