ISC011N04LM7SC
新規
Active and preferred
RoHS対応

ISC011N04LM7SC

新規
OptiMOS™ 7 40 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Dual-Side Cooled (DSC) package
データシート
パッケージ

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ISC011N04LM7SC
ISC011N04LM7SC
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    255 A
  • QG (typ @10V)
    43 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1.45 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.1 mΩ
  • Special Features
    Dual-Side Cooling
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    1.7 V～1.1 V
  • VGS(th)
    1.4 V
  • VGS 範囲
    -12 V～12 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6 DSC
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N

推奨
OPN
ISC011N04LM7SCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6 DSC
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6 DSC
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
Infineon’s latest OptiMOS™ 7 ISC011N04LM7SC 40 V switching-optimized MOSFET delivers an exceptional balance of efficiency and switching performance. Combining 1.1 mΩ RDS(on) with only 20 nC Qg at 4.5 V and 49 nC QOSS, it enables lower switching losses, higher switching frequencies and increased power density. Optimized for GaN-compatible gate drive voltages, it is ideal for high current DC-DC, IBC and 48 V conversion.

特長

  • Switching-optimized OptiMOS™ 7
  • Ultra-low 20 nC Qg
  • 3.2 nC Qgd
  • 49 nC QOSS
  • 255 A current capability
  • High-frequency optimized
  • GaN-drive compatible

利点

  • Maximize efficiency and power density
  • Minimize gate-drive power
  • Enable ultra-fast switching
  • Reduce switching losses
  • Compact high-power performance
  • Enable smaller magnetics
  • Future-proof platform designs
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ