IRHNJ67134
Active and preferred

IRHNJ67134

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNJ67134
IRHNJ67134
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    12 A
  • ID (@25°C) (最大)
    19 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7589U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    88 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
This R6 MOSFET is a rad hard, high-performance device in a SMD-0.5 package. With a 150V, 19A capacity and improved immunity to SEE and LET up to 90MeV·cm2/mg, IRHNJ67134 offers electrical performance up to 100krad(Si) TID and is COTS rated with lead attached and formed. Ideal for high-speed switching in space applications, it has low RDS(on) and faster switching times, reducing power loss and increasing power density.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ