IRHNJ67134
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IRHNJ67134
IRHNJ67134
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    12 A
  • ID (@25°C) (最大)
    19 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7589U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    88 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
This R6 MOSFET is a rad hard, high-performance device in a SMD-0.5 package. With a 150V, 19A capacity and improved immunity to SEE and LET up to 90MeV·cm2/mg, IRHNJ67134 offers electrical performance up to 100krad(Si) TID and is COTS rated with lead attached and formed. Ideal for high-speed switching in space applications, it has low RDS(on) and faster switching times, reducing power loss and increasing power density.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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