IRHNJ53130
Active and preferred

IRHNJ53130

データシート
パッケージ

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IRHNJ53130
IRHNJ53130
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    16 A
  • ID (@25°C) (最大)
    22 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7481U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    75 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHNJ53130 is a single R5 N-channel MOSFET in a SMD-0.5 package with a high radiation tolerance of up to 300krad(Si) TID. It has a maximum voltage of 100V and a maximum current of 22A, making it ideal for space applications. With low RDS(on) and gate charge, this rad hard MOSFET minimizes power losses in switching applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ