新規設計は非推奨

IRHLNMC77110

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHLNMC77110
IRHLNMC77110
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@25°C) max
    6.5 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    290 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHLNMC77110 R7 MOSFET is a radiation-hardened device with 100V, 6.5A rating. It's a single N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package with electrical performance up to 100krad(Si) TID. Ideal for interfacing CMOS and TTL control circuits to power devices in space and other radiation environments, this COTS device maintains single event gate rupture and burnout immunity, while the threshold voltage remains within acceptable operating limits.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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