IRHLNM77110
新規設計非推奨

IRHLNM77110

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHLNM77110
IRHLNM77110
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) (最大)
    4.1 A
  • ID (@25°C) (最大)
    6.5 A
  • QG
    11 nC
  • QPL型番
    2N7609U8
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    290 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

OPN
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Metal Lid
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Metal Lid
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHLNM77110 R7 logic level power MOSFET is a rad hard, single N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package. With a voltage rating of 100V and a current rating of 6.5A, it provides a simple solution for interfacing with CMOS and TTL control circuits. The device maintains its threshold voltage within operating limits even after exposure to radiation up to 100krad(Si) TID, while remaining immune to single event gate rupture and burnout.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ