IRHLNM77110
新規設計非推奨

IRHLNM77110

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHLNM77110
IRHLNM77110
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) (最大)
    4.1 A
  • ID (@25°C) (最大)
    6.5 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    290 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHLNM77110 R7 logic level power MOSFET is a rad hard, single N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package. With a voltage rating of 100V and a current rating of 6.5A, it provides a simple solution for interfacing with CMOS and TTL control circuits. The device maintains its threshold voltage within operating limits even after exposure to radiation up to 100krad(Si) TID, while remaining immune to single event gate rupture and burnout.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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