IRFI4212H-117P
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IRFI4212H-117P

100V Dual N-Channel Digital Audio Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso) package
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IRFI4212H-117P
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    11 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    18 W
  • Qgd (typ)
    6.2 nC
  • QG (typ @10V)
    12 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    72.5 mΩ
  • RthJA (最大)
    65 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220 FullPAK
  • 予算価格€/ 1k
    0.69
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 極性
    N+N

OPN
IRFI4212H-117PXKMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 FullPAK-220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
TW
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製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 FullPAK-220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
TW
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Integrated half-bridge package
  • Key parameters optimized for Class-D
  • Low RDS(ON),Qg and Qsw
  • Low Qrr for better THD
  • Lead-free package

利点

  • 50% less part count and easy PCB layout
  • 50W/Channel in Half-Bridge
  • High efficiency and THD
  • Low EMI
  • Environmentally friendly

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ