Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IRFI4212H-117P

100V Dual N-Channel Digital Audio Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso) package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFI4212H-117P
IRFI4212H-117P
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    11 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    18 W
  • Qgd (typ)
    6.2 nC
  • QG (typ @10V)
    12 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    72.5 mΩ
  • RthJA max
    65 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    TO-220 FullPAK
  • 予算価格€/ 1k
    0.69
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 極性
    N+N
推奨
OPN
IRFI4212H-117PXKMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 FullPAK-220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 FullPAK-220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

機能

  • Integrated half-bridge package
  • Key parameters optimized for Class-D
  • Low RDS(ON),Qg and Qsw
  • Low Qrr for better THD
  • Lead-free package

利点

  • 50% less part count and easy PCB layout
  • 50W/Channel in Half-Bridge
  • High efficiency and THD
  • Low EMI
  • Environmentally friendly

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }