IRF5Y3315CM
新規設計非推奨

IRF5Y3315CM

データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF5Y3315CM
IRF5Y3315CM
データシート


製品仕様情報

  • ID (@100°C) (最大)
    12 A
  • ID (@25°C) (最大)
    18 A
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    85 mΩ
  • VBRDSS (最小)
    150 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    High Reliability MOSFETs
  • 言語
    SPICE
  • 電圧クラス
    100 V

OPN
IRF5Y3315CMEPSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ M-TO257-3
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No
組立国
MX
ウェハ製造国
US

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ M-TO257-3
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MX
ウェハ製造国
US
IRF5Y3315CM is a high reliability, 150V, single, N-channel MOSFET in a TO-257AA package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ