IRF3709Z

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
データシート

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IRF3709Z
IRF3709Z
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    87 A
  • Ptot max
    79 W
  • Qgd
    6 nC
  • QG (typ @4.5V)
    17 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    6.3 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    7.8 mΩ
  • RthJC max
    1.89 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Low RDS(ON) at 4.5V VGS
  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
  • Ultra-Low Gate Impedance

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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