Active and preferred
RoHS準拠

IQE046N08LM5CGSC

OptiMOS™ 5 power MOSFET 80 V logic level in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate DSC package
データシート
パッケージ

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IQE046N08LM5CGSC
IQE046N08LM5CGSC
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    99 A
  • IDpuls (最大)
    396 A
  • Ptot (最大)
    100 W
  • QG (typ @4.5V)
    19 nC
  • QG (typ @10V)
    38 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4.6 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    5.9 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) (範囲)
    1.1 V ～ 2.3 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    1.28
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level, Center-Gate Dual-Side Cooling
推奨
OPN
IQE046N08LM5CGSCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
包装サイズ 6000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
包装サイズ 6000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IQE046N08LM5CGSC is Infineon’s new best-in-class OptiMOS™ 5 power MOSFET 80 V logic level in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate (CG) dual-side cooling (DSC) package, offering the industry’s lowest on-state resistance RDS(on) at 25˚C , superior thermal performance, and optimized parallelization. The OptiMOS™ Source-Down is a revolutionary design with a flipped silicon die inside, which offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density and improved layout possibilities. Combined with the innovative dual-side cooling package, which can dissipate up to three times more power than the traditional overmolded package, IQE046N08LM5CGSC is targeted for high power density and performance SMPS products commonly found in telecom and data servers

特長

  • Logic level allows lower Qrr and QOSS
  • Reduced RDS(on) by up to 30% compared 
  • Improved RthJC over current PQFN
  • New, optimized layout possibilities
  • Center Gate optimized for paralleling

利点

  • Enabling highest power density
  • Superior thermal performance
  • Efficient layout for space use
  • Simplified MOSFET parallelization

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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