IPT65R040CM8
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IPT65R040CM8

650 V CoolMOS™ 8 power transistor
データシート
パッケージ

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IPT65R040CM8
IPT65R040CM8
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    67 A
  • IDpuls (最大)
    230 A
  • QG (typ @10V)
    80 nC
  • QG
    80 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    40 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    40 mΩ
  • Special Features
    Best price-performance with highest efficiency and fast recovery diode
  • VDS (最大)
    650 V
  • パッケージ
    TOLL
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

推奨
OPN
IPT65R040CM8XTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The 650 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs series is the successor to the 650 V CoolMOS™ 7 MOSFET family including C7 and CFD7. It comes with better efficiency compare to its predeccesor. 650 V CoolMOS™ 8 offers the additional 50 V buffer to fulfill the requirement of higher power applications. Beside these advantages, it also includes fast body diode across whole portfolio.

特長

  • Best-in-class RDS(on)*A
  • Integrated fast body diode
  • .XT interconnection
  • TOLL SMD Package
  • Minimized cost of maintenance

利点

  • Increased power density
  • Ease of use and fast design-in
  • Simplified portfolio
  • Reduced assembly cost
  • Space reduction
  • SMT compatible

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ