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RoHS準拠
鉛フリー

IPDQ60R020CFD7

Infineon’s answer to resonant high power topologies

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IPDQ60R020CFD7
IPDQ60R020CFD7

Product details

  • ID max
    112 A
  • ID (@25°C) max
    112 A
  • IDpuls max
    360 A
  • Ptot max
    543 W
  • QG (typ @10V)
    186 nC
  • QG
    186 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    16 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 予算価格€/ 1k
    7.98
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fast recovery diode
OPN
IPDQ60R020CFD7XTMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The 600 V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behavior and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in

機能

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
  • Enables high power density
  • Enables better control
  • Enables perfect electrical loops

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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