Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IPC331N15NM5R

OptiMOS™ n-channel power MOSFET 150V - Bare Die

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IPC331N15NM5R
IPC331N15NM5R

Product details

  • EAS/Avalanche Energy
    70 mJ
  • RDS (on)
    2.9 mΩ
  • VDS
    150 V
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3 V to 4.6 V
  • ダイサイズ (X)
    7.05 mm
  • ダイサイズ (Y)
    4.7 mm
  • ダイサイズ (Area)
    33.13 mm²
  • モード
    Enhancement
  • 厚さ
    246
  • 技術
    OptiMOS™ 5
  • 極性
    N
OPN
IPC331N15NM5RX7SA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 Die Form
包装サイズ 1
包装形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 Die Form
包装サイズ 1
包装形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon’s OptiMOS™ 5 power MOSFET 150V technology offers a breakthrough reduction in RDS(on) (up to 25% compared to the next best alternative in SuperSO8) and Qrr without compromising FOMgd and FOMOSS, effectively reducing design effort whilst optimizing system efficiency. Furthermore, the ultra-low reverse-recovery charge (lowest Qrr in SuperSO8 = 26nC) increases commutation ruggedness.

機能

  • Monolithically integrated gate resistor
  • Optimized for applications in modules
  • Ultra-low recovery charge Qrr
  • Ultralow output capacitance Coss
  • RDS(on) reduction vs previous generation

利点

  • Highest system efficiency
  • Reduced switching and conduction losses
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • Lower voltage overshoot
  • Gate connection for paralleling MOSFETs

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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