IMY120R036CM2H
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IMY120R036CM2H

CoolSiC™ MOSFETハイブリッドディスクリート1200 V、TO-247PLUS-4パッケージ
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IMY120R036CM2H
IMY120R036CM2H
個.
データシート


製品仕様情報

  • Ciss
    1460 pF
  • Coss
    76 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    44 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    171 W
  • Qgd
    8.2 nC
  • QG
    37 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    36 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.87 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    1200 V
  • パッケージ
    PG-TO247-4-U10
  • ピン数
    4 Pins
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
IMY120R036CM2HXKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
AT
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 -
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
AT
個.
在庫あり
TO-247-4ピン パッケージに収納されたCoolSiC™ MOSFETハイブリッド ディスクリート1200 V、36 mΩ G2は、第2世代MOSFET技術の高度な機能と、ソフトスイッチング1200 V/56 Aエミッター制御 7 シリコン ダイオードを組み合わせています。この革新的なソリューションは、太陽光MPPTステージに特化した設計となっており、コンパクトで信頼性が高く、コスト最適化されたシステムの性能を強化します。

特長

  • VGS = 18 V、Tvj = 25℃でRDS = 36 mΩ
  • 逆並列ダイオード
  • ダイオードIF = 56 A、Tc = 100℃
  • 非常に低いスイッチング損失
  • ベンチマーク ゲート閾値電圧、VGS(th) = 4.2 V
  • 寄生ターンオンに対する堅牢性
  • VF = 1.6 V、Tc = 175℃のソフトで低Qrrのダイオード

利点

  • 最適化された性能
  • 高信頼性
  • 高電力密度
  • 高エネルギー効率
  • 使いやすさ

アプリケーション

太陽光発電
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ