新規
Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IMCQ120R004M2H

新規
CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
データシート
パッケージ
複数のパッケージが利用可能
EA.

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IMCQ120R004M2H
IMCQ120R004M2H
EA.
データシート

Product details

  • Ciss
    13 nF
  • Coss
    574 pF
  • ID (@25°C) max
    403 A
  • ID (@ TA=25°C) max
    403 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    1500 W
  • Qgd
    86 nC
  • QG
    348 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    3.7 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.07 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    1200 V
  • パッケージ
    PG-HDSOP-22-U03
  • ピン数
    4 Pins
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMCQ120R004M2HXUMA1 IMCQ120R004M2HXTMA1
製品ステータス active and preferred coming soon
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK Q-DPAK
包装サイズ 750 750
包装形態 TAPE & REEL TAPE & REEL
水分レベル 2 1
モイスチャーパッキン DRY NON DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

製品ステータス coming soon
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 4 mΩ G2 in a top-side cooled Q-DPAK package specifically designed for wide use in industrial application. The Q-DPAK package solution provides customers with an outstanding thermal performance, easier assembly and reduced system cost. The top-side cooled Q-DPAK single switch is introducing a new era in cooling, energy efficiency, design flexibility and performance.

機能

  • VDSS = 1200 V @Tvj = 25°C
  • IDDC = 287 A at TC = 100°C
  • RDS(on) = 3.7 mΩ @VGS = 18 V, Tvj = 25°C
  • Very low switching losses
  • Overload operation up to Tvj = 200°C
  • Short circuit withstand time 2 µs
  • Benchmark gate threshold voltage
  • Robust against parasitic turn on
  • Robust body diode for hard commutation
  • .XT interconnection technology

利点

  • Outstanding thermal performance
  • Increases energy efficiency
  • Higher power density
  • More compact and easier designs
  • Lower TCO cost or BOM cost

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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