IMCQ120R004M2H
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IMCQ120R004M2H

CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
データシート
パッケージ
複数のOPNを利用可能
個.

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IMCQ120R004M2H
IMCQ120R004M2H
個.
データシート


製品仕様情報

  • Ciss
    13 nF
  • Coss
    574 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    403 A
  • ID (@ TA=25°C) (最大)
    403 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    1500 W
  • Qgd
    86 nC
  • QG
    348 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    3.7 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.07 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    1200 V
  • パッケージ
    PG-HDSOP-22-U03
  • ピン数
    4 Pins
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
IMCQ120R004M2HXTMA1 IMCQ120R004M2HXUMA1
製品ステータス active and preferred not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-22
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK Q-DPAK
梱包サイズ 750 750
梱包形態 TAPE & REEL TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1 2
防湿梱包 NON DRY DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
組立国
MY
MY
ウェハ製造国
MY
AT,MY
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり
代替品を表示

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
MY

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT,MY
代替品を表示
CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 4 mΩ G2 in a top-side cooled Q-DPAK package specifically designed for wide use in industrial application. The Q-DPAK package solution provides customers with an outstanding thermal performance, easier assembly and reduced system cost. The top-side cooled Q-DPAK single switch is introducing a new era in cooling, energy efficiency, design flexibility and performance.

特長

  • VDSS = 1200 V @Tvj = 25°C
  • IDDC = 287 A at TC = 100°C
  • RDS(on) = 3.7 mΩ @VGS = 18 V, Tvj = 25°C
  • Very low switching losses
  • Overload operation up to Tvj = 200°C
  • Short circuit withstand time 2 µs
  • Benchmark gate threshold voltage
  • Robust against parasitic turn on
  • Robust body diode for hard commutation
  • .XT interconnection technology

利点

  • Outstanding thermal performance
  • Increases energy efficiency
  • Higher power density
  • More compact and easier designs
  • Lower TCO cost or BOM cost
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ