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IKP30N65F5
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

IKP30N65F5

生産終了
650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package

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IKP30N65F5
IKP30N65F5


製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.07 mJ
  • Eon
    0.28 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    35 A
  • IC (@ 25° ) (最大)
    55 A
  • ICpuls (最大)
    90 A
  • IF (最大)
    36 A
  • IFpuls (最大)
    90 A
  • Irrm
    14.4 A
  • Ptot (最大)
    188 W
  • QGate
    70 nC
  • Qrr
    410 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    23 Ω
  • td(off)
    174 ns
  • td(on)
    18 ns
  • tf
    15 ns
  • tr
    4 ns
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • VF
    1.35 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™5 60-120 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    60 kHz~120 kHz
  • パッケージ
    TO-220-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5

OPN
IKP30N65F5XKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
High Speed 650 V, 30 A TRENCHSTOP™ 5 fast IGBT in a TO-220 package copacked with fast and soft RAPID 1 anti-parallel diode.

特長

  • 650 V breakthrough voltage
  • Compared to our HighSpeed 3 family
  • Factor 2.5 lower Qg
  • Factor 2 reduced switching losses
  • 200 mV reduced VCE(sat)
  • Co-packed with rapid Si-diode
  • Low COES/EOSS
  • Mild pos. temp. coeffi. VCE(sat)
  • Temperature stability of Vf

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ