IGLD60R190D1S

CoolGaN™ 600 V enhancement mode power transistor with fast turn-on and turn-off speed and minimum switching losses
データシート

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IGLD60R190D1S
IGLD60R190D1S
データシート

製品仕様情報

  • ID (@ TA=25°C) (最大)
    10 A
  • IDpuls (@25°C) (最大)
    23 A
  • QG
    3.2 nC
  • RDS (on) (typ)
    140 mΩ
  • VDS (最大)
    600 V
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
  • 製品名
    IGLD60R190D1S
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The IGLD60R190D1S enables more compact topologies at higher efficiency and higher frequency operation. It is certified through an extensive GaN-specific qualification process, exceeding industry standards. Housed in the bottom-side cooled LSON-8 (DFN 8x8) package, it enables ideal power disspation as required in contemporary USB-C adapters and chargers.

特長

  • E-mode HEMT – normally OFF 
  • Ultra fast switching
  • No reverse-recovery charge
  • Capable of reverse conduction
  • Low gate charge, low output charge
  • Superior commutation ruggedness
  • Consumer-grade qualification
  • Bottom-side cooled

利点

  • Improves system efficiency
  • Improves power density
  • Enables higher operating frequency
  • System cost reduction savings
  • Reduces EMI

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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