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代替品
生産終了
生産終了
RoHS準拠

IGLD60R190D1S

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CoolGaN™ 600 V enhancement mode power transistor with fast turn-on and turn-off speed and minimum switching losses
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IGLD60R190D1S
IGLD60R190D1S
代替品
データシート

Product details

  • ID (@ TA=25°C) max
    10 A
  • IDpuls (@25°C) max
    23 A
  • QG
    3.2 nC
  • RDS (on) (typ)
    140 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
  • 製品名
    IGLD60R190D1S
OPN
IGLD60R190D1SAUMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-LSON-8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-LSON-8
パッケージ名 -
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
代替品
The IGLD60R190D1S enables more compact topologies at higher efficiency and higher frequency operation. It is certified through an extensive GaN-specific qualification process, exceeding industry standards. Housed in the bottom-side cooled LSON-8 (DFN 8x8) package, it enables ideal power disspation as required in contemporary USB-C adapters and chargers.

機能

  • E-mode HEMT – normally OFF 
  • Ultra fast switching
  • No reverse-recovery charge
  • Capable of reverse conduction
  • Low gate charge, low output charge
  • Superior commutation ruggedness
  • Consumer-grade qualification
  • Bottom-side cooled

利点

  • Improves system efficiency
  • Improves power density
  • Enables higher operating frequency
  • System cost reduction savings
  • Reduces EMI

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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