IDP40E65D2
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IDP40E65D2

650 V silicon power diode in TO-220 real2pin package
データシート
パッケージ

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IDP40E65D2
IDP40E65D2
データシート


製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    250 A
  • IF (最大)
    80 A
  • IF
    40 A
  • IR (最大)
    40 µA
  • Irrm
    2.9 A
  • Ptot (最大)
    200 W
  • Qrr
    0.13 µC
  • RthJC (最大)
    0.75 K/W
  • trr
    75 ns
  • VF (最大)
    1.6 V
  • VF
    1.6 V
  • コンフィギュレーション
    Single
  • パッケージ
    TO-220
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 電圧クラス (最大)
    650 V

OPN
IDP40E65D2XKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-2
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
MY

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-2
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
MY
Rapid 2 switching 650 V, 40 A emitter controlled power silicon diode in a TO-220 real2pin package is designed for applications switching between 40 kHz and 100 kHz.

特長

  • Lowest reverse recovery charge
  • Highest softness-factor
  • Low reverse recovery time (trr)
  • Lowest Irrm
  • Low turn-on losses on boost switch
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ