IAUTN15S6N038G
Active and preferred
RoHS対応

IAUTN15S6N038G

150V, N-Ch, 3.8 mΩ max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12), OptiMOS™ 6
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IAUTN15S6N038G
IAUTN15S6N038G
個.
データシート


製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Germany
  • ID (@25°C) (最大)
    170 A
  • IDpuls (最大)
    601 A
  • QG (typ @10V) (最大)
    88 nC
  • QG (typ @10V)
    67 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.8 mΩ
  • RthJC
    0.57 K/W
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • パッケージ
    TOLG (PG-HSOG-8-1)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    OptiMOS™6
  • 極性
    N
  • 発売年
    2025
  • 認定
    Automotive

推奨
OPN
IAUTN15S6N038GATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSOG-8
パッケージ名 TOLG
梱包サイズ 1800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOG-8
パッケージ名 TOLG
梱包サイズ 1800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
IAUTN15S6N038G is built with Infineon’s leading-edge, power semiconductor technology OptiMOS™ 6 150V. It is offered in our versatile, robust, high current TOLG 10x12 mm² SMD package and designed for high performance, high quality and robustness needed for demanding automotive applications. Key characteristics include RoHS compliance, MSL1 rating, automotive quality beyond AEC-Q101, PPAP capability, and delivery in tape and reel format.

特長

  • Breakdown voltage of 150V
  • Low RDS(on) → lowest conduction losses
  • N-ch.-Enhancement mode-Normal Level
  • Tight distribution of VGS(th)
  • 175°C operating temperature
  • High avalanche capability

利点

  • High power density
  • By far industry’s lowest RDS(on)
  • High ID for high-power applications
  • High switching performance
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ