FS980R08A7F32B
新規
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

FS980R08A7F32B

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HybridPACK™ Drive G2 (Si/SiC Fusionスイッチ搭載) : インバーターの様々な電力クラス向けに最適化されたコンパクトな750 V B6ブリッジ電源モジュール
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FS980R08A7F32B
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2040
  • IC (最大)
    980 A
  • VCES (Tvj=25°C typ)
    750 V
  • コンフィギュレーション
    Sixpack
  • パッケージ
    HybridPACK™ Drive G2
  • 冷却コンセプト
    PinFin baseplate
  • 技術
    IGBT EDT3, CoolSiC™ G2
  • 特長
    Short Tabs, PinFin baseplate
  • 発売年
    2026
  • 認定
    Automotive
  • 電圧クラス (最大)
    750 V
推奨
OPN
FS980R08A7F32BHPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-HDFSXT-3311
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 6
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-HDFSXT-3311
パッケージ名 -
梱包サイズ 6
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
このパワーモジュールは、最新のEDT3 IGBT 750 Vおよび第2世代のCoolSiC™オートモーティブMOSFET 750 Vを搭載しており、中・長距離自動車パワークラスから、長距離商用車、建設車両、農業車両まで、電気駆動系アプリケーション向けに最適化されています

特長

  • EDT3 IGBT/ダイオードおよびCoolSiC Gen2 MOSFET
  • 同時ゲート駆動に最適化
  • チップ上に統合された温度センサー
  • 低い伝導損失とスイッチング損失
  • 低誘導設計
  • Tvj,op = 175℃
  • 4.25 kVDC 1 s絶縁
  • 高電力密度
  • 直冷式ピンフィンベースプレート
  • PressFITコンタクトテクノロジー
  • 高性能Si3N4セラミック
  • PCBおよびクーラーアセンブリのガイド要素

利点

  • 高温サイクル能力
  • 内蔵ダイオード温度センサー
  • 新しいプラスチック材料
  • 温度能力の向上
  • 新しいフレームデザイン
  • 下位システムBOM
  • AC接触抵抗の低減
  • さらに低いタブ温度
  • PressFITコンタクトテクノロジー
  • RoHS準拠
  • 完全鉛フリー
  • 優れた信頼性

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }