Active and preferred
RoHS準拠

FM25W256-G

High-Density 256 kBit SPI Memory device | 20MHz, -40 to 85°C, Pure Sn Finish - Ideal for Industrial Applications
データシート
パッケージ
ボード
EA.
個の在庫あり

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FM25W256-G
FM25W256-G
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2.7 V ～ 5.5 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 5.5 V
  • 周波数
    20 MHz
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM25W256-G
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 1940
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 1940
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM25W256-Gは256 Kbit（32K × 8）シリアルF-RAMで、SPIインターフェースを備え、100兆回（1014）の書き換え耐久性と65°Cで151年のデータ保持を実現します。動作電圧2.7 V～5.5 V、最大20 MHzクロック、NoDelayバス速度書き込み、高度な書き込み保護、低動作電流（1 MHz時250 μA）を特長とします。8ピンSOICで–40°C～+85°Cに対応し、産業用や重要システムの頻繁な書き込み用途に最適です。

特長

  • 256 Kbit F-RAM、32K × 8構成
  • 10¹⁴回の読み書き耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™書き込み即時保存
  • SPIバス最大20 MHz対応
  • ハード/ソフト両方の書き込み保護
  • 1 MHz時250 μA動作電流
  • 典型待機電流15 μA
  • 広い電圧範囲：2.7 V～5.5 V
  • 工業温度：–40°C～+85°C
  • シリアルフラッシュ/EEPROM置換
  • SPIモード0・3対応

利点

  • 重要データの信頼性非揮発性保存
  • リアルタイムで書き込み遅延なし
  • 頻繁・高速書き込みに最適
  • 電源断でもデータ消失防止
  • 待機時の低消費電力
  • 幅広い電圧で柔軟運用
  • 工業環境で安定動作
  • フラッシュ/EEPROMから簡単移行
  • 書き込み保護でデータ安全
  • SPIでシステム速度向上
  • フラッシュ/EEPROMの摩耗なし
  • 標準SPIコントローラと容易統合

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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