Active and preferred
RoHS準拠

FM25W256-G

High-Density 256 kBit SPI Memory device | 20MHz, -40 to 85°C, Pure Sn Finish - Ideal for Industrial Applications
データシート
パッケージ
ボード

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FM25W256-G
FM25W256-G
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ)
    2.7 V to 5.5 V
  • 動作電圧
    2.7 V to 5.5 V
  • 周波数
    20 MHz
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM25W256-G
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 1940
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 1940
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The FM25W256-G is a 256-Kbit nonvolatile memory with advanced ferroelectric technology, providing reliable data retention for 151 years. Unlike serial flash and EEPROM, it performs write operations at bus speed, with no write delays, and offers substantial write endurance, supporting 1014 read/write cycles. With 100 million times more write cycles than EEPROM, it's ideal for applications requiring frequent or rapid writes, from critical data collection to demanding industrial controls.

機能

  • 256-Kbit F-RAM logically organized as 32K × 8
  • High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
  • 151-year data retention
  • NoDelay™ writes
  • Advanced high-reliability ferroelectric process
  • Very fast serial peripheral interface (SPI)
  • Sophisticated write protection scheme
  • Low power consumption
  • Wide voltage operation

利点

  • Hardware drop-in replacement
  • High-speed SPI bus
  • Industrial temperature: –40°C to +85°C

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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