FM25C160B-GTR
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

FM25C160B-GTR

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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FM25C160B-GTR
FM25C160B-GTR
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 周波数
    20 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM25C160B-GTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
FM25C160B-GTRは16 Kbit（2 K × 8）の車載グレードSPIシリアルF-RAMメモリで、10兆（1013）回の高耐久リード/ライトサイクルと85°Cで121年のデータ保持を実現します。動作電圧は4.5 V～5.5 V、最大15 MHzのSPIクロック対応、-40°C～+125°CのAEC-Q100 Grade 1認証取得。NoDelay™バススピード書き込み、高度な書き込み保護、低消費電力を備え、厳しい車載・産業用途でシリアルフラッシュやEEPROMの直接置換が可能です。

特長

  • 16 Kbit F-RAM（2 K × 8構成）
  • 10兆回の高耐久書き換え
  • 85°Cで121年データ保持
  • NoDelay™リアルタイム書込
  • 最大15 MHzのSPIインターフェース
  • 多層ハード/ソフト書込保護
  • 1 MHz時300 μA動作電流
  • 85°Cで10 μA待機電流
  • VDD 4.5 V～5.5 V対応
  • 動作温度–40°C～+125°C
  • 1/4・1/2・全域ブロック保護
  • シリアルフラッシュ/EEPROM代替

利点

  • 頻繁書込に最適な高耐久性
  • 121年間のデータ信頼保持
  • 即時書込で待機不要
  • 15 MHz SPIで高速転送
  • 強固な保護でデータ損失防止
  • 低消費電流で省エネ
  • 幅広い電圧で設計容易
  • 過酷な温度環境でも動作
  • 柔軟なブロック保護で安全性向上
  • 置換で設計変更不要

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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