Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM16W08-SG

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FM16W08-SG
FM16W08-SG

製品仕様情報

  • Density
    64 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Parallel FRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2.7 V ~ 5.5 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ~ 5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    8Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    70 ns
OPN
FM16W08-SG
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-28 (51-85026)
包装サイズ 540
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-28 (51-85026)
包装サイズ 540
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
FM16W08-SGは64 Kbit(8 K × 8)パラレルF-RAMで、28ピンSOICパッケージ採用、100兆回(10¹⁴)読み書きと65°Cで151年のデータ保持を実現。2.7 V~5.5 V動作、–40°C~+85°C対応、70 nsアクセスとNoDelay™書き込み。バッテリーバックアップSRAMやEEPROMより信頼性・速度に優れ、産業用制御、データロギング、システム設定用途に最適。

特長

  • 64 Kbit (8 K × 8) F-RAMメモリ
  • 100兆回の読書き耐久
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™ 高速書き込み
  • 70nsアクセス、130nsサイクル
  • 広い電圧範囲:2.7 V~5.5 V
  • 低動作電流:最大12 mA
  • 待機電流:標準20 μA
  • SRAM/EEPROM互換ピン配置
  • 標準8 K × 8インターフェース
  • 負電圧サージ耐性
  • 先進的な強誘電体プロセス

利点

  • ほぼ無限の書き込み耐久性
  • 電源断でも長期データ保持
  • 高速書き込みでシステム高速化
  • SRAM/EEPROMと置換可能
  • バッテリ・リフレッシュ不要
  • システム設計を簡素化
  • 低消費で電池長持ち
  • 過酷環境でも高信頼性
  • 電源断でもデータ消失なし
  • 既存設計に容易に統合
  • 保守・ダウンタイム削減
  • 重要用途で高信頼

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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