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RoHS準拠

FF4MR12W2M1H_B70

CoolSiC™ MOSFET half-bridge module 1200 V
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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FF4MR12W2M1H_B70
FF4MR12W2M1H_B70
EA.
データシート

Product details

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    4 mΩ
  • アプリケーション
    ESS, EV Charger, Solar, UPS
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    Easy 2B
  • 寸法 (width)
    48 mm
  • 寸法 (length)
    62.8 mm
  • 特長
    PressFIT, AlN
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
FF4MR12W2M1HB70BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
AG-EASY2B
パッケージ名 N/A
包装サイズ 15
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
AG-EASY2B
パッケージ名 -
包装サイズ 15
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
EasyDUAL™ 2B CoolSiC™ MOSFET half-bridge module 1200 V, 4 mΩ G1 with integrated NTC temperature sensor, PressFIT Contact Technology and aluminium nitride ceramic.

機能

  • Best in class with 12.25mm height
  • Leading edge WBG material
  • Very low module stray inductance
  • Enhanced CoolSiC™ MOSFET Gen 1
  • Enlarged gate drive voltage window
  • Voltage window from 15 to 18 & 0 to -5 V
  • Extended maximum gate-source voltages
  • Gate-source voltages of +23 V and -10 V
  • Tvjop: overload condition up to 175°C
  • Integrated NTC temperature sensor

利点

  • Outstanding module efficiency
  • System cost advantages
  • System efficiency improvement
  • Reduced cooling requirements
  • Enabling higher frequency
  • Increase of power density
  • Thermal conductivity of DCB material
  • Better thermal conductivity of DCB material

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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