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CYRS1069G30-10FZMB

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CYRS1069G30-10FZMB
CYRS1069G30-10FZMB

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • デバイスの重量
    3878.7 mg
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • 動作温度
    -55 °C to 125 °C
  • 動作電圧
    2.2 V to 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    2Mb x 8
  • 認定
    Military
OPN
CYRS1069G30-10FZMB
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FLATPACK-36 (001-67583)
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FLATPACK-36 (001-67583)
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
インフィニオンの16 Mb非同期SRAMファミリーは、インフィニオンの特許取得済みRADSTOP™テクノロジーで設計されており、宇宙やその他の過酷な環境でのアプリケーションに最適です。16 Mb高速SRAMは、1Mビット x 16ビットとして構成されたECCを備えた高性能、低消費電力のSRAMです。インフィニオンの耐放射線性メモリはQML-V認定を受けており、過酷な環境における信頼性とライフサイクルの要求を満たしています。当社のRADSTOP™メモリ ソリューションは、サイズ、重量、電力 (SWaP) の利点と設計の柔軟性を高めながら、システム全体のコンピューティングの限界を高めます。注: この製品は5962R2020202VXCに置き換えられました。

機能

  • 16 Mbメモリ容量、2M x 8
  • シングルビットエラー訂正用の組込み ECC
  • 10 nsのアクセス時間
  • 2.2 V~3.6 Vの動作電圧範囲
  • -55°C~+125°Cの軍用温度グレード
  • 36ピン セラミック フラットパック (CFP)
  • DLAM QML-V認定
  • 放射線性能
  • TID: 200 Krad
  • SEL: >60 MeV.cm2/mg @ 95°C
  • SEU: ≤ 1 x 10-10 upsets/bit-day

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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