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CYRS1069G30-10FZMB

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CYRS1069G30-10FZMB
CYRS1069G30-10FZMB
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • デバイスの重量
    3878.7 mg
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • 動作温度
    -55 °C to 125 °C
  • 動作電圧
    2.2 V to 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    2Mb x 8
  • 認定
    Military
推奨
OPN
CYRS1069G30-10FZMB
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
CG-FP-36
パッケージ名 FLATPACK-36 (001-67583)
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
CG-FP-36
パッケージ名 FLATPACK-36 (001-67583)
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon’s FAST 16Mb asynchronous SRAM family, designed with Infineon’s patented RADSTOPTM technology is ideal for space as well as other harsh environment applications. The 16Mb Fast SRAM is a high-performance, low power SRAM with ECC organized as 2-Mbit by 8-bits.
Infineon’s radiation hardened memories are QML-V certified, meeting the reliability and lifecycle demands of extreme environments. Our RADSTOPTM memory solutions enhance overall system computing limits while providing Size, Weight, and Power (SWaP) benefits and greater design flexibility.

機能

  • 16 Mb density, 2M x 8
  • Embedded ECC for single-bit error correction
  • 10ns access times
  • 2.2 V to 3.6 V operating voltage range
  • –55°C to +125°C military temperature grade
  • 36-pin ceramic flat pack (CFP)
  • DLAM QML-V qualified 
  • Radiation performance
  • TID: 200 Krad
  • SEL: > 60 MeV.cm2/mg @ 95°C
  • SEU: ≤ 1 x 10-10 upsets/bit-day

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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