CY7S1049GE30-10VXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7S1049GE30-10VXI

データシート
パッケージ

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CY7S1049GE30-10VXI
CY7S1049GE30-10VXI
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns

推奨
OPN
CY7S1049GE30-10VXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-SOJ-36
パッケージ名 SOJ-36 (51-85090)
梱包サイズ 475
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-SOJ-36
パッケージ名 SOJ-36 (51-85090)
梱包サイズ 475
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
CY7S1049GE30-10VXIは4 Mbit（512K×8）の非同期SRAMで、PowerSnooze™ディープスリープとECCを内蔵します。2.2 V～3.6 V、-40°C～+85°Cで動作し、アクセス時間10 ns。CE/OE/WE制御とTTL互換I/Oに対応。ECCで1ビット誤りを訂正し、ERRピンで訂正リードを通知します。ディープスリープ保持電流は最大15 µA、CMOSスタンバイは最大8 mAです。

特長

  • 4 Mbit SRAM、512K×8構成
  • アドレスアクセス10/15 ns
  • 読出し周期tRC 10/15 ns
  • tDOE 4.5 ns/8 ns
  • 内蔵ECCで1bit誤り訂正
  • ディープスリープ15 µA max
  • DS→スリープtDS 1 ms max
  • 復帰tDSCA 300 µs
  • VDR=1.0 Vで保持
  • TTL互換入出力
  • 動作温度–40°C～+85°C

利点

  • 高速読出しでレイテンシ低減
  • OEが速くバス切替を短縮
  • ECCでサイレント破損低減
  • 15 µAで待機電力を削減
  • DSで必要時だけスリープ
  • 300 µs復帰で高速リジューム
  • 1.0 V保持でバックアップ節電
  • TTLで既存IFと接続容易
  • –40°C～+85°Cで堅牢性向上
  • 安定タイミングで設計容易

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ