CY7S1049G30-10VXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7S1049G30-10VXI

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY7S1049G30-10VXI
CY7S1049G30-10VXI
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推奨
OPN
CY7S1049G30-10VXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-SOJ-36
パッケージ名 SOJ-36 (51-85090)
梱包サイズ 475
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-SOJ-36
パッケージ名 SOJ-36 (51-85090)
梱包サイズ 475
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7S1049G30-10VXIは4 Mbit（512K×8）の高速非同期SRAMで、PowerSnooze™ディープスリープと単一ビット訂正ECCを内蔵します。2.2 V～3.6 V、-40°C～+85°Cで10 nsアクセスに対応。ディープスリープ電流は最大15 µA、CMOSスタンバイ（ISB2）は最大8 mA、動作ICCは最大45 mA。CE/OE/WE制御とDSピンで低消費保持を行い、Pb-free 36ピンSOJで提供。

特長

  • 4 Mbit SRAM、512K×8構成
  • アドレスアクセス10/15 ns
  • 読出し周期tRC 10/15 ns
  • tDOE 4.5 ns/8 ns
  • 内蔵ECCで1bit誤り訂正
  • ディープスリープ15 µA max
  • DS→スリープtDS 1 ms max
  • 復帰tDSCA 300 µs
  • VDR=1.0 Vで保持
  • TTL互換入出力
  • 動作温度–40°C～+85°C

利点

  • 高速読出しでレイテンシ低減
  • OEが速くバス切替を短縮
  • ECCでサイレント破損低減
  • 15 µAで待機電力を削減
  • DSで必要時だけスリープ
  • 300 µs復帰で高速リジューム
  • 1.0 V保持でバックアップ節電
  • TTLで既存IFと接続容易
  • –40°C～+85°Cで堅牢性向上
  • 安定タイミングで設計容易

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }