CY7C2663KV18-550BZXC
Active and preferred
RoHS対応

CY7C2663KV18-550BZXC

データシート
パッケージ

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CY7C2663KV18-550BZXC
CY7C2663KV18-550BZXC
データシート


製品仕様情報

  • ECC
    N
  • Frequency
    550 MHz
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    Y
  • アーキテクチャ
    QDR-II+, ODT
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 18
  • バンク スイッチング
    N
  • バースト長 (Words)
    4
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    QDR-II+, ODT
  • メモリ容量
    144 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    0 °C～70 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～1.9 V
  • 組織 (X x Y)
    8Mb x 18
  • 認定
    Commercial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    2.5

推奨
OPN
CY7C2663KV18-550BZXC
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ 210
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ 210
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C2663KV18-550BZXCは144-MbitのQDR II+同期パイプラインSRAMで、8M × 18構成です。独立した読出し/書込みポートにDDR I/Oと4ワードバーストを備え、550 MHzクロック（1100 MHzデータ転送）と2.5サイクルのリードレイテンシに対応。コアVDDは1.8 V（1.7～1.9 V）、VDDQは1.4 V～VDDで、ODTとエコークロック（CQ/CQ）により高速キャプチャとタイミングを支援します。

特長

  • QDR II+ SRAM、4ワードバースト
  • 550 MHz、DDR最大1100 MHz
  • 読み/書きデータ端子分離
  • 同時トランザクション対応
  • 2.5サイクル読出し(DOFF=1)
  • 1サイクル読出し(DOFF=0)
  • D/BWS/KにODT内蔵
  • CQ/CQエコークロック
  • QVLDで出力データ有効表示
  • 安定クロック20 µsでPLLロック
  • PLLは120 MHzまで動作
  • VDD 1.7–1.9 V; VDDQ 1.4–VDD

利点

  • バーストでアドレス頻度低減
  • DDR1100 MHzで高速転送
  • バス切替不要で低レイテンシ
  • 読み書き同時でスループット向上
  • 2.5サイクルで読出し一定
  • 1サイクルでアクセス短縮
  • ODTで外付け終端を削減
  • CQ/CQで高速タイミング容易
  • QVLDでデータ取り込み簡素化
  • PLLでデータ配置を安定化
  • 120 MHzでもPLL利用可能
  • 1.4 V/1.5 V I/Oで柔軟

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ