CY7C1049G30-10ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1049G30-10ZSXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C1049G30-10ZSXI
CY7C1049G30-10ZSXI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推奨
OPN
CY7C1049G30-10ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY7C1049G30-10ZSXIは4 Mbit（512K×8）の非同期CMOS SRAMで、単一ビット訂正のECCを内蔵します。アクセス時間tAAは10 ns、電源は2.2 V～3.6 V、動作温度は-40°C～+85°Cです。シングル/デュアルチップイネーブルに対応し、鉛フリー44ピンTSOP IIで、1.0 Vデータ保持とCE自動パワーダウン待機（ISB2最大8 mA）を備えます。

特長

  • 4 Mbit SRAM（512K×8）
  • 内蔵ECCで1ビット訂正
  • tAAアドレスアクセス最短10 ns
  • VCC=1.0 Vでデータ保持
  • CE自動パワーダウン（ISB2最大8 mA）
  • 100 MHzでICC最大45 mA
  • tDOE OE→データ4.5 ns
  • 入出力TTL互換
  • 非選択/OE HighでI/O Hi-Z
  • 動作温度範囲–40°C～+85°C
  • DC I/Oリーク最大±1 µA
  • ERR出力でECCイベント通知（GE）

利点

  • ECCで読出しデータ信頼性向上
  • ERRピンで監視を簡素化
  • 10 nsアクセスで高速CPU対応
  • 広いVCCでマルチ電源対応
  • 1.0 V保持でバックアップ節電
  • CEパワーダウンで待機損失低減
  • ICC最大45 mAで電力見積容易
  • OE高速で読出し遅延を低減
  • Hi-Zでバス共有が容易
  • TTLレベルでIF回路簡素化
  • –40°C～+85°Cで堅牢性向上
  • 低リークで待機損失を低減

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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