CY62177EV30LL-55ZXI

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CY62177EV30LL-55ZXI

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製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2033
Density

32 MBit
アラーム

N
インターフェース

Parallel
ウォッチドッグタイマー

N
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

MoBL™ SRAM
リアルタイムクロック

N
リードボール仕上げ

Pure Sn
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧 (VCCQ) 範囲

2.2 V～3.6 V
動作電圧範囲

2.2 V～3.6 V
組織 (X x Y)

2Mb x 16
認定

Industrial
速度

55 ns

	推奨
OPN	CY62177EV30LL-55ZXI
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-48
パッケージ名	TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ	480
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	No
ハロゲンフリー	Yes
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:		個. 在庫あり

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-48
パッケージ名	TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ	480
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

個.

在庫あり

CY62177EV30LL-55ZXIは32-Mbit（2M×16/4M×8）CMOS SRAMで、Pb-free 48ピンTSOP Iに搭載し、55 nsアクセスを規定します。2.2 V～3.6 V、−40°C～+85°Cで動作。CE自動パワーダウンによりISB2は3 µA typ（25 µA max）。ICCは1 MHzで10 mA typ（18 mA max）、fMaxで35 mA typ（45 mA max）。BHE/BLEとCE1/CE2で拡張可能です。

特長

32 Mbit SRAM、2M×16/4M×8
tRC読出しサイクル55 ns
OE→データ有効tDOE 25 ns
VCC動作2.2 V～3.6 V
1 MHz動作電流 typ 10 mA
待機typ 3 µA、max 25 µA
非選択で自動パワーダウン
アドレス停止で消費99%減
データ保持電圧VDR 1.5 V
保持電流 max 20 µA
OE/CE/BHE/BLEで3ステート

利点

8/16ビットバスに適合
55 nsアクセスで高速CPU対応
OE 25 nsで読出し立上り高速
2.2–3.6 Vで電池動作に対応
typ 10 mAで動作電力を低減
µA待機で電池寿命を延長
自動PDでアイドル電力削減
99%低減で静止損失を抑制
1.5 Vでもデータ保持
保持電流が小さく省エネ
3ステートで増設が容易

アプリケーション

デザインリソース

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CY62177EV30LL-55ZXI

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特長

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デザインリソース

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